[13058pcs Estoque]
- Número da peça:
- HUF75829D3
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 18A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor HUF75829D3 electronic components. HUF75829D3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF75829D3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HUF75829D3 Atributos do produto
Número da peça :
HUF75829D3
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
Series :
UltraFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 20V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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