IRFPF50 Preços (USD) [9146pcs Estoque]
- 1 pcs$4.52823
- 500 pcs$4.50570
- Número da peça:
- IRFPF50
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFPF50 electronic components. IRFPF50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFPF50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFPF50 Atributos do produto
Número da peça :
IRFPF50
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
200nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
190W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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