Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2N60ECH C5G

KEY Part #: K6405869

TSM2N60ECH C5G Preços (USD) [116901pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.31640

Número da peça:
TSM2N60ECH C5G
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2N60ECH C5G Atributos do produto

Número da peça : TSM2N60ECH C5G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 362pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 52.1W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251 (IPAK)
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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