IXTA52P10P Preços (USD) [18053pcs Estoque]
- 1 pcs$2.62657
- 10 pcs$2.34408
- 100 pcs$1.92207
- 500 pcs$1.55640
- 1,000 pcs$1.31262
- Número da peça:
- IXTA52P10P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 52A TO-263.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA52P10P electronic components. IXTA52P10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA52P10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA52P10P Atributos do produto
Número da peça :
IXTA52P10P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
Series :
PolarP™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
52A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2845pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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