[1505pcs Estoque]
- Número da peça:
- SUP40P10-43-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SUP40P10-43-GE3 electronic components. SUP40P10-43-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUP40P10-43-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUP40P10-43-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SUP40P10-43-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
43 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4600pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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