FDS4465 Preços (USD) [175385pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22526
- 2,500 pcs$0.22414
- Número da peça:
- FDS4465
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDS4465 electronic components. FDS4465 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS4465, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS4465 Atributos do produto
Número da peça :
FDS4465
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
120nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
8237pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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