ON Semiconductor - FDS4465

KEY Part #: K6416930

FDS4465 Preços (USD) [175385pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.22526
  • 2,500 pcs$0.22414

Número da peça:
FDS4465
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FDS4465 electronic components. FDS4465 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS4465, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS4465 Atributos do produto

Número da peça : FDS4465
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8237pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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