SCTW90N65G2V Preços (USD) [1553pcs Estoque]
- 1 pcs$27.86749
- Número da peça:
- SCTW90N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics SCTW90N65G2V electronic components. SCTW90N65G2V can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCTW90N65G2V, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCTW90N65G2V Atributos do produto
Número da peça :
SCTW90N65G2V
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
157nC @ 18V
Vgs (máx.) :
+22V, -10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3300pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
390W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
HiP247™
Pacote / caso :
TO-247-3
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