STP2NK100Z Preços (USD) [28425pcs Estoque]
- 1 pcs$1.44990
- 10 pcs$1.31108
- 100 pcs$0.99964
- 500 pcs$0.77748
- 1,000 pcs$0.64420
- Número da peça:
- STP2NK100Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
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STP2NK100Z Atributos do produto
Número da peça :
STP2NK100Z
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
Series :
SuperMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.85A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
499pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
70W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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