Toshiba Semiconductor and Storage - TK50E06K3A,S1X(S

KEY Part #: K6405629

[8679pcs Estoque]


    Número da peça:
    TK50E06K3A,S1X(S
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK50E06K3A,S1X(S Atributos do produto

    Número da peça : TK50E06K3A,S1X(S
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
    Series : U-MOSIV
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
    Vgs (máx.) : -
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : -
    Temperatura de operação : -
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3
    Pacote / caso : TO-220-3

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