[481pcs Estoque]
- Número da peça:
- IXFT15N100Q
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFT15N100Q electronic components. IXFT15N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT15N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFT15N100Q Atributos do produto
Número da peça :
IXFT15N100Q
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
170nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-268
Pacote / caso :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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