[587pcs Estoque]
- Número da peça:
- 2SK2719(F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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2SK2719(F) Atributos do produto
Número da peça :
2SK2719(F)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-3P(N)
Pacote / caso :
TO-3P-3, SC-65-3
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