CSD19538Q3AT Preços (USD) [206175pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17940
- 250 pcs$0.16809
- 1,250 pcs$0.10465
- Número da peça:
- CSD19538Q3AT
- Fabricante:
- Texas Instruments
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 15A VSONP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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CSD19538Q3AT Atributos do produto
Número da peça :
CSD19538Q3AT
Fabricante :
Texas Instruments
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 15A VSONP
Series :
NexFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
454pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-VSONP (3x3.15)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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