TSM061NA03CV RGG Preços (USD) [194697pcs Estoque]
- 1 pcs$0.18997
- Número da peça:
- TSM061NA03CV RGG
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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TSM061NA03CV RGG Atributos do produto
Número da peça :
TSM061NA03CV RGG
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
66A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1136pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
44.6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PDFN (3x3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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