[2510pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSH207,135
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BSH207,135 electronic components. BSH207,135 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH207,135, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSH207,135 Atributos do produto
Número da peça :
BSH207,135
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.52A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
600mV @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.8nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 9.6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
417mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-TSOP
Pacote / caso :
SC-74, SOT-457
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