BUK9M35-80EX Preços (USD) [334614pcs Estoque]
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- Número da peça:
- BUK9M35-80EX
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
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BUK9M35-80EX Atributos do produto
Número da peça :
BUK9M35-80EX
Fabricante :
Nexperia USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 26A LFPAK
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13.5nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1804pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
62W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
LFPAK33
Pacote / caso :
SOT-1210, 8-LFPAK33
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