Infineon Technologies - IPLU250N04S41R7XTMA1

KEY Part #: K6418518

IPLU250N04S41R7XTMA1 Preços (USD) [67139pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.58238
  • 2,000 pcs$0.54209

Número da peça:
IPLU250N04S41R7XTMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 8HSOF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPLU250N04S41R7XTMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPLU250N04S41R7XTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 8HSOF
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 250A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 80µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 188W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-HSOF-8-1
Pacote / caso : 8-PowerSFN

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