DMJ70H600SH3 Preços (USD) [54655pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71540
- 75 pcs$0.66690
- Número da peça:
- DMJ70H600SH3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET BVDSS 651V 800V TO251.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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DMJ70H600SH3 Atributos do produto
Número da peça :
DMJ70H600SH3
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET BVDSS 651V 800V TO251
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
643pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
113W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-251
Pacote / caso :
TO-251-3, IPak, Short Leads
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