IXTP60N10T Preços (USD) [49481pcs Estoque]
- 1 pcs$0.86965
- 10 pcs$0.78561
- 100 pcs$0.63125
- 500 pcs$0.49096
- 1,000 pcs$0.40679
- Número da peça:
- IXTP60N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 60A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IXTP60N10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTP60N10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Series :
TrenchMV™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2650pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
176W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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