BVSS123LT1G Preços (USD) [996497pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03712
- 12,000 pcs$0.02123
- Número da peça:
- BVSS123LT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
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- Vantagem competitiva:
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BVSS123LT1G Atributos do produto
Número da peça :
BVSS123LT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
170mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
20pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
225mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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