STW35N60DM2 Preços (USD) [15664pcs Estoque]
- 1 pcs$2.63098
- 10 pcs$2.34893
- 100 pcs$1.92595
- 500 pcs$1.55954
- 1,000 pcs$1.31528
- Número da peça:
- STW35N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 28A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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STW35N60DM2 Atributos do produto
Número da peça :
STW35N60DM2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 28A
Series :
MDmesh™ DM2
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
210W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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