ON Semiconductor - 2V7002WT1G

KEY Part #: K6417153

2V7002WT1G Preços (USD) [955469pcs Estoque]

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  • 1,000 pcs$0.02868

Número da peça:
2V7002WT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2V7002WT1G Atributos do produto

Número da peça : 2V7002WT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 310mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 24.5pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 280mW (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-70-3 (SOT323)
Pacote / caso : SC-70, SOT-323

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