ON Semiconductor - FDP032N08-F102

KEY Part #: K6393071

FDP032N08-F102 Preços (USD) [41742pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.93671

Número da peça:
FDP032N08-F102
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Módulos de driver de energia, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDP032N08-F102 Atributos do produto

Número da peça : FDP032N08-F102
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 220nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 15160pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 375W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3