IPAN65R650CEXKSA1 Preços (USD) [71938pcs Estoque]
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- 10 pcs$0.42186
- 100 pcs$0.31549
- 500 pcs$0.24467
- 1,000 pcs$0.19316
- Número da peça:
- IPAN65R650CEXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPAN65R650CEXKSA1 electronic components. IPAN65R650CEXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAN65R650CEXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPAN65R650CEXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPAN65R650CEXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 210µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
28W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220 Full Pack
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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