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  5. FQPF5N80

ON Semiconductor - FQPF5N80

KEY Part #: K6413538

[13065pcs Estoque]

    Número da peça:
    FQPF5N80
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FQPF5N80 electronic components. FQPF5N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF5N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF5N80 Atributos do produto

    Número da peça : FQPF5N80
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
    Series : QFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 Ohm @ 1.4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1250pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 47W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
    Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack

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