[13099pcs Estoque]
- Número da peça:
- RFD10P03LSM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor RFD10P03LSM electronic components. RFD10P03LSM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFD10P03LSM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFD10P03LSM Atributos do produto
Número da peça :
RFD10P03LSM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1035pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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