ON Semiconductor - ATP112-TL-H

KEY Part #: K6393227

ATP112-TL-H Preços (USD) [234382pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15781
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Número da peça:
ATP112-TL-H
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ATP112-TL-H Atributos do produto

Número da peça : ATP112-TL-H
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 33.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1450pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 40W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ATPAK
Pacote / caso : ATPAK (2 leads+tab)

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