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  5. APTM120H29FG

Microsemi Corporation - APTM120H29FG

KEY Part #: K6522643

APTM120H29FG Preços (USD) [414pcs Estoque]

  • 1 pcs$147.39494
  • 10 pcs$140.27951
  • 25 pcs$135.19703
Número da peça:
APTM120H29FG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico and Diodos - Zener - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microsemi Corporation APTM120H29FG electronic components. APTM120H29FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120H29FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM120H29FG Atributos do produto

Número da peça : APTM120H29FG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Series : POWER MOS 7®
Status da Peça : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Potência - Max : 780W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6

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