ON Semiconductor - FDT457N

KEY Part #: K6416026

FDT457N Preços (USD) [254929pcs Estoque]

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  • 100 pcs$0.27827
  • 500 pcs$0.20613
  • 1,000 pcs$0.16490

Número da peça:
FDT457N
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDT457N Atributos do produto

Número da peça : FDT457N
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.9nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 235pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3W (Ta)
Temperatura de operação : -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223-4
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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