Cree/Wolfspeed - C3M0065100J

KEY Part #: K6401100

C3M0065100J Preços (USD) [7322pcs Estoque]

  • 1 pcs$12.08286
  • 100 pcs$10.69000

Número da peça:
C3M0065100J
Fabricante:
Cree/Wolfspeed
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C3M0065100J Atributos do produto

Número da peça : C3M0065100J
Fabricante : Cree/Wolfspeed
Descrição : MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Series : C3M™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 15V
Vgs (máx.) : +15V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 600V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 113.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK-7
Pacote / caso : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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