SIZ926DT-T1-GE3 Preços (USD) [162374pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22893
- 3,000 pcs$0.22779
- Número da peça:
- SIZ926DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 electronic components. SIZ926DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ926DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ926DT-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIZ926DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potência - Max :
20.2W, 40W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PowerPair® (6x5)
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