IXYS - IXTP2N80

KEY Part #: K6417862

IXTP2N80 Preços (USD) [43865pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.98543
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Número da peça:
IXTP2N80
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N80 Atributos do produto

Número da peça : IXTP2N80
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 54W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220AB
Pacote / caso : TO-220-3

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