[12666pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF7663TR
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7663TR electronic components. IRF7663TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7663TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7663TR Atributos do produto
Número da peça :
IRF7663TR
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2520pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.8W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Micro8™
Pacote / caso :
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
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