TPH3205WSBQA Preços (USD) [4321pcs Estoque]
- 1 pcs$11.73076
- 10 pcs$10.85188
- 100 pcs$9.26804
- Número da peça:
- TPH3205WSBQA
- Fabricante:
- Transphorm
- Descrição detalhada:
- GANFET N-CH 650V 35A TO247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Transphorm TPH3205WSBQA electronic components. TPH3205WSBQA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH3205WSBQA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPH3205WSBQA Atributos do produto
Número da peça :
TPH3205WSBQA
Fabricante :
Transphorm
Descrição :
GANFET N-CH 650V 35A TO247
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 22A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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