SCT3022KLGC11 Preços (USD) [878pcs Estoque]
- 1 pcs$52.84242
- Número da peça:
- SCT3022KLGC11
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT3022KLGC11 electronic components. SCT3022KLGC11 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT3022KLGC11, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT3022KLGC11 Atributos do produto
Número da peça :
SCT3022KLGC11
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
SCT3022KL IS AN SIC SILICON CAR
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
95A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28.6 mOhm @ 36A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 18.2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
178nC @ 10V
Vgs (máx.) :
+22V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2879pF @ 800V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
427W
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247N
Pacote / caso :
TO-247-3
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