[8735pcs Estoque]
- Número da peça:
- FDZ294N
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDZ294N electronic components. FDZ294N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDZ294N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDZ294N Atributos do produto
Número da peça :
FDZ294N
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 6A 9-BGA
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
670pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.7W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
9-BGA (1.5x1.6)
Pacote / caso :
9-VFBGA
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