Nexperia USA Inc. - PSMN0R9-25YLDX

KEY Part #: K6400754

PSMN0R9-25YLDX Preços (USD) [118378pcs Estoque]

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  • 1,500 pcs$0.29053

Número da peça:
PSMN0R9-25YLDX
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN0R9-25YLDX Atributos do produto

Número da peça : PSMN0R9-25YLDX
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 89.8nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6721pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 238W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : LFPAK56, Power-SO8
Pacote / caso : SC-100, SOT-669

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