IRFB3077PBF Preços (USD) [24416pcs Estoque]
- 1 pcs$1.52923
- 10 pcs$1.36397
- 100 pcs$1.06097
- 500 pcs$0.85911
- 1,000 pcs$0.72455
- Número da peça:
- IRFB3077PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IRFB3077PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFB3077PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
220nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9400pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
370W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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