FDD4N60NZ Preços (USD) [231873pcs Estoque]
- 1 pcs$0.16631
- 2,500 pcs$0.16549
- Número da peça:
- FDD4N60NZ
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDD4N60NZ electronic components. FDD4N60NZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD4N60NZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD4N60NZ Atributos do produto
Número da peça :
FDD4N60NZ
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
Series :
UniFET-II™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
114W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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