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  5. APT25SM120S

Microsemi Corporation - APT25SM120S

KEY Part #: K6401732

[2949pcs Estoque]

    Número da peça:
    APT25SM120S
    Fabricante:
    Microsemi Corporation
    Descrição detalhada:
    POWER MOSFET - SIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Microsemi Corporation APT25SM120S electronic components. APT25SM120S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT25SM120S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT25SM120S Atributos do produto

    Número da peça : APT25SM120S
    Fabricante : Microsemi Corporation
    Descrição : POWER MOSFET - SIC
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1200V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 175 mOhm @ 10A, 20V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 20V
    Vgs (máx.) : -
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 175W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D3
    Pacote / caso : D-3 Module

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