ON Semiconductor - FQD4P25TM-WS

KEY Part #: K6392708

FQD4P25TM-WS Preços (USD) [241313pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15328

Número da peça:
FQD4P25TM-WS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD4P25TM-WS Atributos do produto

Número da peça : FQD4P25TM-WS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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