DMT8012LSS-13 Preços (USD) [214990pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17204
- 2,500 pcs$0.15227
- Número da peça:
- DMT8012LSS-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT8012LSS-13 electronic components. DMT8012LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT8012LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT8012LSS-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMT8012LSS-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1949pF @ 40V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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