DMTH6004LPSQ-13 Preços (USD) [100619pcs Estoque]
- 1 pcs$0.38860
- 2,500 pcs$0.32397
- Número da peça:
- DMTH6004LPSQ-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH6004LPSQ-13 electronic components. DMTH6004LPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6004LPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH6004LPSQ-13 Atributos do produto
Número da peça :
DMTH6004LPSQ-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060
Series :
Automotive, AEC-Q101
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
47.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4515pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.6W (Ta), 138W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerDI5060-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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