[8816pcs Estoque]
- Número da peça:
- RRH050P03GZETB
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RRH050P03GZETB electronic components. RRH050P03GZETB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RRH050P03GZETB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RRH050P03GZETB Atributos do produto
Número da peça :
RRH050P03GZETB
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
650mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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