Toshiba Semiconductor and Storage - TK380P65Y,RQ

KEY Part #: K6401985

TK380P65Y,RQ Preços (USD) [167001pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.24485
  • 2,000 pcs$0.24363

Número da peça:
TK380P65Y,RQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK380P65Y,RQ Atributos do produto

Número da peça : TK380P65Y,RQ
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Series : DTMOSV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 360µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 300V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 80W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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