[14111pcs Estoque]
- Número da peça:
- HUFA76629D3ST
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 20A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor HUFA76629D3ST electronic components. HUFA76629D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUFA76629D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HUFA76629D3ST Atributos do produto
Número da peça :
HUFA76629D3ST
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
Series :
UltraFET™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1285pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
110W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252AA
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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