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  5. FDB3652

ON Semiconductor - FDB3652

KEY Part #: K6418516

FDB3652 Preços (USD) [67009pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.58642
  • 800 pcs$0.58350
Número da peça:
FDB3652
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FDB3652 electronic components. FDB3652 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB3652, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB3652 Atributos do produto

Número da peça : FDB3652
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 61A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 61A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2880pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 150W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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