SISS06DN-T1-GE3 Preços (USD) [172802pcs Estoque]
- 1 pcs$0.21404
- Número da peça:
- SISS06DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 electronic components. SISS06DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS06DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISS06DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SISS06DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Series :
TrenchFET® Gen IV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.38 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (máx.) :
+20V, -16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3660pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8S
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8S
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