Diodes Incorporated - DMN2024U-7

KEY Part #: K6394111

DMN2024U-7 Preços (USD) [771564pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04794

Número da peça:
DMN2024U-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET BVDSS 8V-24V SOT23 TR 3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2024U-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN2024U-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET BVDSS 8V-24V SOT23 TR 3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 647pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 800mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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