SIHU4N80E-GE3 Preços (USD) [42316pcs Estoque]
- 1 pcs$0.92400
- Número da peça:
- SIHU4N80E-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHAN 800V TO-251.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3 electronic components. SIHU4N80E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHU4N80E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIHU4N80E-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIHU4N80E-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
Series :
E
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
622pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
69W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
IPAK (TO-251)
Pacote / caso :
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
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