FQD13N06LTM Preços (USD) [475379pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11665
- 2,500 pcs$0.11607
- Número da peça:
- FQD13N06LTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 11A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQD13N06LTM electronic components. FQD13N06LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD13N06LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQD13N06LTM Atributos do produto
Número da peça :
FQD13N06LTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D-Pak
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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